การทดสอบความเข้ากันได้ของ LPDDR5T ที่เร็วที่สุดของโลกสําหรับมือถือของ SK hynix เสร็จสิ้นกับ Qualcomm

  • 9.6Gbps product verified to be compatible with Qualcomm’s new Snapdragon mobile processor
  • With validation with global major partners completed, SK hynix to provide LPDDR5T to global smartphone customers
  • “SK hynix, Qualcomm to collaborate further to accelerate smartphones’ growth into key devices in AI era”

กรุงเทพมหานคร, ประเทศไทย, วันที่ 25 ตุลาคม 2566 — บริษัท SK hynix Inc. (หรือ “บริษัท” www.skhynix.com) ได้ประกาศในวันนี้ว่า บริษัทได้เริ่มดําเนินการทางการค้าของ LPDDR5T (Low Power Double Data Rate 5 Turbo) * ซึ่งเป็นหน่วยความจําสําหรับมือถือที่เร็วที่สุดในโลกที่มีความเร็ว 9.6Gbps.

SK hynix LPDDR5T
SK hynix LPDDR5T

บริษัทกล่าวว่า บริษัทได้รับการรับรองว่า LPDDR5T สามารถใช้งานได้กับ Snapdragon® 8 Gen 3 Mobile Platform ของ Qualcomm Technologies ซึ่งเป็นกรณีแรกของอุตสาหกรรมที่ผลิตภัณฑ์ดังกล่าวได้รับการตรวจสอบจากบริษัทสหรัฐอเมริกา.

*LPDDR: หน่วยความจําสําหรับอุปกรณ์มือถือ เช่น สมาร์ทโฟนและแท็บเล็ต ซึ่งมีจุดมุ่งหมายเพื่อลดการบริโภคพลังงานและมีการทํางานที่มีความต่ําของแรงดันไฟฟ้า รุ่นล่าสุดคือรุ่นที่ 7 ซึ่งสืบทอดมาจากซีรีส์ที่สิ้นสุดด้วย 1, 2, 3, 4, 4X, 5 และ 5X LPDDR5T เป็นผลิตภัณฑ์ที่พัฒนาใหม่โดย SK hynix และเป็นผลิตภัณฑ์ที่ปรับปรุงจากรุ่นที่ 7 (5X) ก่อนการพัฒนารุ่นที่ 8 LPDDR6.

SK hynix ได้ดําเนินการตรวจสอบความเข้ากันได้ของ LPDDR5T ภายหลังการพัฒนาในเดือนมกราคมที่ผ่านมา ด้วยการสนับสนุนจาก Qualcomm Technologies กระบวนการนี้หมายความว่า LPDDR5T สามารถใช้งานได้กับ Snapdragon 8 Gen 3

กับการตรวจสอบความเข้ากันได้กับ Qualcomm Technologies ซึ่งเป็นผู้นําด้านเทคโนโลยีโทรคมนาคมและบริการ และผู้ให้บริการหลักของชิปแอปพลิเคชันโปรเซสเซอร์สําเร็จด้วยดี SK hynix คาดว่าขอบเขตการนํา LPDDR5T ไปใช้งานจะเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็ว

บริษัทมีแผนที่จะจัดหาผลิตภัณฑ์ขนาดความจุ 16GB ซึ่งเป็นการรวมกันของชิป LPDDR5T หลายชิป ซึ่งความเร็วในการประมวลผลข้อมูลคือ 77GB ต่อวินาที เทียบเท่ากับการประมวลภาพยนตร์แบบ Full-HD 15 เรื่องภายในวินาทีเดียว

ผลิตภัณฑ์ LPDDR5T ยังมีข้อได้เปรียบในเรื่องการบริโภคพลังงาน โดยทํางานที่แรงดันไฟฟ้าต่ําสุด 1.01-1.12 โวลต์ ตามมาตรฐานที่กําหนดโดย JEDEC

SK hynix ได้นําเทคโนโลยี HKMG (High-K Metal Gate) ** มาใช้เพื่อปรับปรุงความเร็วและประสิทธิภาพการบริโภคพลังงานอย่างมาก ด้วยการนําเทคโนโลยีนี้มาใช้ บริษัทคาดว่า LPDDR5T จะได้รับส่วนแบ่งตลาดสูงก่อนการเปิดตัวรุ่น LPDDR6 ถัดไป

“เทคโนโลยี AI แบบสร้างสรรค์ที่ทํางานบนแพลตฟอร์ม Snapdragon 8 Gen 3 ของเราช่วยเปิดโอกาสใหม่ๆ ได้โดยการประมวลผล LLMs และ LVMs บนอุปกรณ์ด้วยความล่าช้าต่ําสุดและการบริโภคพลังงานต่ําสุด” กล่าวโดย Ziad Asghar รองประธานฝ่ายจัดการผลิตภัณฑ์ของ Qualcomm Technologies, Inc. “ความร่วมมือกับ SK hynix โดยนําหน่วยความจําสําหรับมือถือที่เร็วที่สุดมาร่วมกับแพลตฟอร์มมือถือล่าสุดของเรา และส่งมอบประสบการณ์ AI ที่มีประสิทธิภาพสูงบนอุปกรณ์ เช่น ผู้ช่วย AI ส่วนตัวสําหรับผู้ใช้สมาร์ทโฟน”

“เรารู้สึกยินดีที่ได้ตอบสนองความต้องการของลูกค้าในเรื่องหน่วยความจําสําหรับมือถือที่มีประสิทธิภาพสูงสุดด้วยการจัดหา LPDDR5T” กล่าวโดย Sungsoo Ryu หัวหน้าฝ่ายวางแผนผลิตภัณฑ์ DRAM ของ SK hynix
Ryu กล่าวว่า คาดว่าสมาร์ทโฟนจะเป็นอุปกรณ์ห