เซี่ยงไฮ้, 24 ส.ค. 2566 — ตามรายงานตลาด Digital Isolator Market With COVID-19 Impact Analysis Global Forecast to 2026 ของ Markets and Markets ส่วนแบ่งตลาดของผลิตภัณฑ์ digital isolator ของ NOVOSENSE เพิ่มขึ้นเป็นปีที่สามติดต่อกัน ในตลาดจีน digital isolators ของ NOVOSENSE อยู่ใน 10 อันดับแรกในปี 2019 และขึ้นมาอยู่ใน 8 อันดับแรกในปี 2020 ในปี 2021 digital isolators ของ NOVOSENSE อยู่ใน 3 อันดับแรกในจีน และอยู่ใน 10 อันดับแรกของผู้ผลิตระดับยักษ์์ใหญ่ระดับสากลในการแข่งขันตลาดโลก
digital isolator เป็นส่วนตลาดสารกึ่งตัวนําที่เติบโตอย่างรวดเร็ว สิ่งที่น่าสังเกตคือในตลาด digital isolation ส่วนแบ่งของบริษัทจีนเพิ่มขึ้นอย่างรวดเร็ว
ด้วยการซึมซับอย่างต่อเนื่องของการประยุกต์ใช้งานแรงดันสูง กระแสสูง กําลังสูงในสภาพแวดล้อมพลังงานทดแทนที่เป็นตัวแทนโดยโฟโต้โวลเตอิก พลังงานลม และยานยนต์ไฟฟ้า ความต้องการป้องกันบุคคลากรและกรองการรบกวนต้องการการแยกไฟฟ้าที่ปลายนําเข้าและส่งออกของสถาปัตยกรรมผลิตภัณฑ์ระบบมากขึ้นและการเปลี่ยนแปลงในการออกแบบวงจรได้ขับเคลื่อนการพัฒนาอย่างรวดเร็วของตลาดอุปกรณ์แยก
เมื่อเปรียบเทียบกับอุปกรณ์แยกแบบเดิมด้วยออปโตคัปเปลอร์ digital isolators ที่พื้นฐานมาจากกระบวนการ CMOS กําลังได้รับการใช้งานอย่างแพร่หลายมากขึ้นเนื่องจากข้อได้เปรียบด้านประสิทธิภาพ เช่น การเบี่ยงเบนน้อย อายุการใช้งานยาว และหน่วงสั้น ตามการวิจัยของ Markets and Markets ตลาด digital isolator ทั่วโลกจะมีมูลค่าเกิน 1.7 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ ในปี 2022 และคาดว่าจะเติบโตถึงประมาณ 2.4 พันล้านดอลลาร์สหรัฐ ภายในปี 2026 ด้วยอัตราการเติบโตเฉลี่ยต่อปี (CAGR) ร้อยละ 9
ในปัจจุบัน NOVOSENSE สามารถจัดหาผลิตภัณฑ์แยกดิจิทัลสําหรับจําหน่ายได้มากกว่า 100 ประเภท ซึ่งถูกนําไปใช้อย่างแพร่หลายในอิเล็กทรอนิกส์ยานยนต์ การควบคุมอุตสาหกรรม การสื่อสารสารสนเทศ และอิเล็กทรอนิกส์ผู้บริโภค การพัฒนาอย่างมากของ NOVOSENSE ไม่สามารถแยกออกจากความแข็งแกร่งทางเทคนิคของบริษัทได้ โดยยกตัวอย่างเทคโนโลยีหลักของบริษัท – “Adaptive OOK” การมอดูเลตสัญญาณ ซึ่งเทคโนโลยีนี้สามารถปรับปรุงความสามารถในการต้านทานการรบกวนของแรงดันโหมดร่วมสําหรับชิปแยกดิจิทัลของบริษัทได้อย่างมาก และสามารถทําให้ประสิทธิภาพของตัวชี้วัดหลัก CMTI มากกว่า ±200kV/μs ในสภาพแวดล้อมสุดขั้ว เทคโนโลยีนี้สามารถป้องกันอุปกรณ์ภายในชิปแยกดิจิทัลจากความเสียหายเมื่อ CMTI มากกว่า ±300kV/μs และสามารถควบคุมการสั่นพ้องสัญญาณได้ที่ประมาณ 1ns